G3VM-41DR

更高功率，2.5A切换，40V负载电压，DIP封装。低50 mΩ导通电阻。

连续负载电流为2.5 A。 切换微小的模拟信号。 I/O之间的介电强度为2500 Vrms。

应用示例：

• 通信设备
• 测试与测量设备
• 安全设备
• 工厂自动化设备
• 电源电路

封装类型：DIP4 触点形式：1a（SPST-NO） 端子：PCB端子，表面贴装端子 负载电压（峰值）：40V 型号：G3VM-41AR, G3VM-41DR, G3VM-41DR(TR)

绝对最大额定值 (Ta=25℃)：

• LED正向电流：30 mA
• 重复峰值LED正向电流：1 A（100 μs脉冲，100 pps）
• LED正向电流降低率：-0.3 mA/℃ (Ta≥25℃)
• LED反向电压：5 V
• 连接温度：125 ℃
• 负载电压（AC峰值/DC）：40 V
• 连续负载电流（AC峰值/DC）：2.5 A
• 导通电流降低率：-25 mA/℃ (Ta≥25℃)
• 脉冲导通电流：7.5 A（t=100 ms，占空比=1/10）
• I/O之间的介电强度：2500 Vrms（AC持续1分钟）
• 工作温度：-40至+85 ℃（无结冰或冷凝）
• 存储温度：-55至+125 ℃（无结冰或冷凝）
• 焊接温度：260 ℃（10秒）

电气特性 (Ta=25℃)：

• LED正向电压：1.18至1.48 V（IF = 10 mA）
• 反向电流：10 μA（VR=5V）
• 端子间电容：70 pF（V=0，f=1 MHz）
• 触发LED正向电流：0.5至3 mA（lo = 1 A）
• 输出导通时的最大电阻：50至150 mΩ（IF = 5 mA，lo=2A，t< 1s）
• 继电器断开时的漏电流：1.0 μA（VoFF=40V）
• 端子间电容：300 pF（V =0，f= 1 MHz）
• I/O端子间电容：0.8 pF（f =1 MHz，Vs = 0 V）
• I/O端子间的绝缘电阻：1000 MΩ（Vi-0=500VDC，RoH≤60%）
• 导通时间：0.8至5 ms（IF =5mA，RL=200 Ω）
• 关断时间：0.3至1 ms（VDD =20 V）

推荐工作条件：

• 负载电压（AC峰值/DC）：32 V
• 工作LED正向电流：5至25 mA
• 连续负载电流（AC峰值/DC）：2.5 A
• 工作温度：-20至65 ℃

• 通信设备
• 测试与测量设备
• 安全设备
• 工厂自动化设备
• 电源电路