G3VM-354J

具有DPST-NC触点的模拟开关MOS FET继电器。现在350V负载电压系列中包括了具有DPST-NC触点和SOP 8引脚封装的型号。

应用示例：

• 半导体测试设备
• 测试与测量设备
• 通信设备
• 数据记录器

型号列表：

• 封装类型：SOP8
• 触点形式：2b (DPST-NC)
• 端子：表面贴装端子
• 负载电压（峰值）：350V
• 型号：G3VM-354J
• 最小包装数量：每管50个，每卷带2,500个

绝对最大额定值 (Ta=25℃)：

• LED正向电流 (IF)：50 mA
• 重复峰值LED正向电流 (IFP)：1 A（100 μs脉冲，100 pps）
• LED正向电流减少率 (△lF/℃)：-0.5 mA/℃ (Ta≥25℃)
• LED反向电压 (VR)：5 V
• 连接温度 (TJ)：125 ℃
• 负载电压（交流峰值/直流）(VOFF)：350 V
• 连续负载电流（交流峰值/直流）(lo)：120 mA
• 导通电流减少率 (△lo/℃)：-1.2 mA/℃ (Ta≥25℃)
• I/O之间的介电强度 (Vi-0)：1500 Vrms（交流1分钟）
• 环境工作温度 (Ta)：-40 至 +85 ℃（无结冰或凝露）
• 环境存储温度 (Tstg)：-55 至 +125 ℃（无结冰或凝露）
• 焊接温度：260 ℃（10秒）

电气特性 (Ta=25℃)：

• LED正向电压 (VF)：1.0 至 1.3 V (IF = 10 mA)
• 反向电流 (IR)：10 μA (VR = 5 V)
• 端子间电容 (CT)：30 pF (V = 0, f = 1 MHz)
• 触发LED正向电流 (IFC)：1 至 3 mA (loFF = 10 μA)
• 输出导通时的最大电阻 (RoN)：15 至 25 Ω (lo = 120 mA)
• 继电器断开时的漏电流 (ILEAK)：1.0 μA (VoFF = 350 V, IF = 5 mA)
• 断开状态下的端子间电容 (COFF)：65 pF (V = 0, f = 1 MHz, IF = 5 mA)
• I/O端子间的电容 (CI-0)：0.8 pF (f = 1 MHz, Vs = 0 V)
• I/O端子间的绝缘电阻 (RI-O)：1000 MΩ (Vi-0 = 500 VDC, RoH ≤ 60%)
• 导通时间 (tON)：1.0 ms (IF = 5 mA, RL = 200 Ω)
• 关断时间 (toFF)：3.0 ms (VDD = 20 V)

推荐工作条件：

• 负载电压（交流峰值/直流）(VDD)：280 V
• 工作LED正向电流 (IF)：5 至 25 mA
• 连续负载电流（交流峰值/直流）(lo)：120 mA
• 环境工作温度 (Ta)：-20 至 65 ℃

• 半导体测试设备
• 测试与测量设备
• 通信设备
• 数据记录仪