ISL6174IRZ

该集成电路适用于双电压热插拔应用，偏置电源电压范围为+2.5V至+3.3V（标称值），第二低电压轨低至小于1V，在此类应用中，电路断路器对过流事件的响应是首选。它具有用于驱动外部N沟道MOSFET的电荷泵、精确可编程的断路器电流阈值、延迟输出欠压监测与报告功能以及可调节的软启动功能。 每个电压轨的断路器电流水平（lCB）由两个外部电阻设置，每个电压轨的延迟时间（tCB）由TCB引脚上的外部电容设置。tCB时间结束后，集成电路会迅速拉低相关的GATE输出，关闭其外部FET。 ISL6174适用于偏置电压为2.1V至3.6VDC的双电压热插拔应用，受控电压可低至0.7VDC。该集成电路的主要功能是控制启动浪涌电流，并为电源提供断路器保护，防止其受到过流负载的影响。这通过以可控方式增强外部MOSFET来实现。为了完全增强MOSFET，集成电路必须提供足够的栅源电压，通常为5V或更高。因此，栅极（GT）引脚上的最终稳态电压必须比负载电压至少高5V。两个内部电荷泵可实现这一点。

• 快速断路器，可快速响应过流故障情况
• 对完全短路的响应时间小于1µs
• 可编程的断路器级别和延迟
• 两级过流检测，可快速响应不同的故障情况
• 过流断路器和故障隔离功能
• 可调节的断路器阈值低至20mV
• 可调节的电压斜坡上升，用于启动时的浪涌保护
• 各电压轨独立控制、监测和报告输入/输出
• 双电源热插拔电源分配控制，电压低至<1V
• 电荷泵允许使用N沟道MOSFET
• QFN封装：符合JEDEC PUB95 MO - 220 QFN（四方扁平无引脚封装） - 封装外形 - 接近芯片级封装尺寸，可提高PCB效率并具有更薄的外形
• 无铅（符合RoHS标准）

• 电源排序、分配和控制
• 热插拔/电子断路器电路