ISL6115AIBZ

ISL6115A 专为通用热插拔开关应用的 +12V 单电源配电控制而设计。 该集成电路的特点是具有高精度的可编程电流调节 (CR) 电平，带有可编程的锁存关闭时间延迟，以及可编程的软启动开启斜坡，所有这些都只需最少的外部无源元件即可设置。它还具备严重过流 (OC) 保护功能，若出现如负载完全短路等快速负载电流瞬变情况，导致 CR 阈值电压超过编程电平 150mV 时，会立即关闭 MOSFET 开关。此外，它还有欠压 (UV) 指示器和过流锁存指示器。一旦集成电路加电偏置，PGOOD 功能即被启用，可监测并报告 ISEN 引脚上的任何欠压情况。 在初始上电时，该集成电路可以通过关闭外部 N 沟道 MOSFET 开关将电压源与负载隔离，或者直接将电源轨电压施加到负载，以实现真正的热插拔功能。若要使器件通过关闭外部 N 沟道 MOSFET 来隔离电源与负载，PWRON 引脚必须拉低。当 PWRON 引脚拉高或浮空时，集成电路将处于真正的热插拔模式。在这两种情况下，集成电路均以软启动模式开启，保护电源轨免受突然的浪涌电流影响。 开启时，N 沟道 MOSFET 的外部栅极电容由一个 11µA 的电流源充电，从而产生可编程的斜坡（软启动开启）。内部 ISL6115A 电荷泵为 12V 电源开关提供栅极驱动，将该栅极驱动至约 VDD + 6.5V。负载电流流经外部电流检测电阻。当检测电阻两端的电压超过用户编程的电压时。

• +12V 单电源配电热插拔控制
• 过流故障隔离
• 可编程电流调节电平
• 可编程电流调节锁存关闭时间
• 轨到轨共模输入电压范围
• 增强型内部电荷泵将 N 沟道 MOSFET 栅极驱动至高于集成电路偏置电压 6.5V
• 欠压和过流锁存指示器
• 可调开启斜坡
• 开启期间保护
• 两级过流检测，可对不同故障情况快速响应
• 对完全短路的响应时间为 1µs
• 无铅（符合 RoHS 标准）

• 配电控制
• 热插拔组件和电路