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ISL6594DCRZ

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: ISL6594DCRZ
商品编号: C1549644
商品封装: DFN-10(3x3)
包装方式: 管装
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

ISL6594D是一款高频MOSFET驱动器，专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动上、下功率N沟道MOSFET而设计。该驱动器与ISL6594D数字多相降压PWM控制器和N沟道MOSFET相结合，可为先进的微处理器提供完整的核心电压调节解决方案。 ISL6594D可在4.5V至13.2V的范围内驱动上、下栅极。这种驱动电压为优化涉及栅极电荷和传导损耗之间权衡的应用提供了必要的灵活性。集成了先进的自适应零直通保护功能，可防止上、下MOSFET同时导通，并将死区时间降至最低。ISL6594D包含过压保护功能，在VCC超过其开启阈值之前即可工作，此时PHASE节点连接到低端MOSFET（LGATE）的栅极。然后，转换器的输出电压由低端MOSFET的阈值限制，若上MOSFET短路，这可为微处理器提供一定的保护。 ISL6594D还具有一个可识别高阻抗状态的输入，可与Intersil多相PWM控制器协同工作，在操作暂停时防止受控输出电压出现负瞬变。此功能无需在电源系统中使用肖特基二极管来保护负载免受负输出电压的损坏。

商品特性

用于同步整流桥的双MOSFET驱动器
与ISL6596引脚兼容
先进的自适应零直通保护 - 体二极管检测 - rDS(ON)传导偏移效应自动归零
可调栅极电压，实现最佳效率
36V内部自举肖特基二极管
防止自举电容过充电
支持高开关频率（高达2MHz） - 3A灌电流能力 - 快速上升/下降时间和低传播延迟
针对3.3V PWM输入进行优化
用于输出级关断的三态PWM输入
针对有电源排序要求的应用的三态PWM输入迟滞
上电复位前过压保护
VCC欠压保护
可扩展底部铜焊盘，增强散热能力
双扁平无引脚（DFN）封装 - 接近芯片级封装尺寸；提高PCB效率，外形更薄
无铅（符合RoHS标准）

应用领域

针对IBA系统的负载点（POL）DC/DC转换器进行优化
英特尔和AMD微处理器的核心稳压器
大电流DC/DC转换器
高频高效VRM和VRD

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优惠活动

购买数量

(100个/管，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个100个/管

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	3A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	1.25A
	工作电压	4.5V~13.2V
	上升时间(tr)	26ns
	下降时间(tf)	18ns
	工作温度	0℃~+85℃