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MMBF4393LT1G

500mV@10nA

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描述
此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
MMBF4393LT1G
商品编号
C152291
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录结型场效应管(JFET)
数量1个N沟道
栅源截止电压(VGS(off))500mV@10nA
栅源击穿电压(Vgss)30V
耗散功率(Pd)225mW
导通电阻(RDS(on))100Ω
漏源电流(Idss)5mA@15V
属性参数值
输入电容(Ciss)14pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
配置-
输出电容(Coss)-
反向传输电容(Crss)-
FET类型N沟道

数据手册PDF