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F1958NBGK
7位0.25dB数字步进衰减器，1MHz至6GHz
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- 描述
- 该产品适用于基站（BTS）无线电卡和众多其他应用的严格要求。采用紧凑的4mm x 4mm 24引脚封装，输入和输出阻抗为50Ω，便于集成到无线电或RF系统中。由QFN封装的单片硅芯片制成，具有很高的可靠性。插入损耗非常低，失真极小。此外，该设备设计具有极其精确的衰减水平，这些精确的衰减水平通过确保系统增益尽可能接近目标水平来提高系统SNR和/或ACLR。此外，并行模式下极快的建立时间非常适合快速切换系统。最后，该设备采用了Glitch-FreeTM技术。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- F1958NBGK
- 商品编号
- C1525927
- 商品封装
- QFN-24-EP(4x4)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF衰减器 | |
| 频率范围 | 1MHz~6GHz | |
| 功率 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阻抗 | 50Ω | |
| 衰减值 | 31.75dB | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
商品概述
F1958 是 IDT 无毛刺系列 DSA 的一部分，该系列针对基站（BTS）射频卡及其他众多应用的苛刻要求进行了优化。该器件采用紧凑的4mm x 4mm 24引脚封装，具有50Ω输入和输出阻抗，便于集成到射频系统中。由于采用单片硅芯片并封装在QFN中，F1958具有非常高的可靠性。其插入损耗很低且失真极小。此外，该器件设计有极其精确的衰减水平。这些精确的衰减水平通过确保系统增益尽可能接近目标水平来提高系统的信噪比和/或ACLR。另外，并行模式下的极快建立时间非常适合快速切换系统。最后，该器件使用了我们的无毛刺技术，与竞争性的DSA形成对比。
应用领域
- 光学微机电系统(MEMS)
- 光学交叉点开关
- 使用压电执行器的微定位应用
- 汽车测试和测量中的电平设定