商品概述

TL03x系列JFET输入运算放大器相较于TL06x系列低功耗BiFET运算放大器，提供了更出色的直流和交流特性。片上齐纳偏移电压修整可实现低至1.5 mV（TL031A）的精度等级，可提升直流耦合应用的精度。德州仪器改进的BiFET工艺和优化设计还可在不增加功耗的前提下提升带宽和压摆率。BiFET运算放大器可提供JFET输入晶体管固有的更高输入阻抗，同时不会牺牲双极型放大器具备的输出驱动能力。更高的输入阻抗使TL03x放大器更适合与高阻抗传感器或极低电平交流信号对接。这些器件本身也比功耗相当的双极型或CMOS器件具备更出色的交流响应。TL03x系列针对微功耗运行进行了优化，同时提升了TL06x系列的性能。需要显著更快交流响应的设计人员可选用TLE206x系列低功耗BiFET运算放大器。由于BiFET运算放大器设计用于双电源供电，单电源供电时必须注意遵守共模输入电压限制和输出摆幅要求。输入信号需要直流偏置，负载应端接到电源中点的虚拟地节点。单电源供电驱动BiFET放大器时，TLE2426集成虚拟地发生器十分实用。TL03x器件在±15 V和±5 V条件下完全符合规格。低压和/或单电源系统应用中，推荐使用LinCMOS系列运算放大器（前缀为TLC）。从BiFET放大器转换为CMOS放大器时，应特别注意压摆率、带宽要求和输出负载。C后缀器件的工作温度范围为0℃至70℃。I后缀器件的工作温度范围为−40℃至85℃。

商品特性

低功耗
片上偏移电压微调，可改善直流性能
无需增加功耗即可获得更高压摆率和带宽
提供TSSOP封装，适用于小尺寸设计

应用领域

直流耦合应用
高阻抗传感器接口
极低电平交流信号应用
现有电路升级
新产品设计

	属性	参数值
	商品目录	FET输入运放
	放大器数	1
	增益带宽积(GBW)	1.1MHz
	输入偏置电流(Ib)	2pA
	输入失调电压(Vos)	500uV
	共模抑制比(CMRR)	94dB
	压摆率(SR)	5.1V/us
	静态电流(Iq)	130uA
	轨到轨	-

	属性	参数值
	输入失调电压温漂(Vos TC)	6.2uV/℃
	输出电流	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	单电源电压	-
	双电源电压(Vee~Vcc)	5V~15V；-15V~-5V
	输入电压噪声密度(eN)	41nV/√Hz@1kHz
	输入失调电流(Ios)	1pA
	功能特性	-

TL031IP

商品参数

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