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TN0110N3-G

1个N沟道耐压:100V 电流:350mA

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品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: TN0110N3-G
商品编号: C145749
商品封装: TO-92-3
包装方式: 袋装
商品毛重: 0.241克(g)

商品参数

商品概述

这款低阈值、增强型（常开）晶体管采用垂直 DMOS 结构和 Supertex 成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。 Supertex 的垂直 DMOS FET 非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

商品特性

低阈值 - 最大 2.0V
高输入阻抗
低输入电容 - 典型值 50pF
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏

应用领域

逻辑电平接口 – 适用于 TTL 和 CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	350mA
	导通电阻(RDS(on))	3Ω@10V,500mA
	耗散功率(Pd)	1W
	阈值电压(Vgs(th))	2V@0.5mA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	60pF
	反向传输电容(Crss)	8pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	35pF