温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 800mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 25V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 160@100mA,1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 120MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV@500mA,20mA | |
| 工作温度 | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
晶体管类型：PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：800mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：25V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：400mV @ 20mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：160 @ 100mA，1V
功率 - 最大值：200mW
频率 - 跃迁：120MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：800mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：25V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：400mV @ 20mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：160 @ 100mA，1V
功率 - 最大值：200mW
频率 - 跃迁：120MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3
交货周期
订货79-81个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 57000 个)个
起订量：57000 个3000个/圆盘
总价金额：
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