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MMBTH10LT1G
NPN 电压:25V
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- 描述
- 特性：S和NSV前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。 AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MMBTH10LT1G
- 商品编号
- C16204
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 25V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 60@4mA,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 650MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV@4mA,0.4mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 3V | |
| 数量 | 1个NPN |
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