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MMBTH10LT1G

NPN 电压:25V

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描述: 特性：S和NSV前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。 AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: MMBTH10LT1G
商品编号: C16204
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.03克(g)

商品参数

晶体管类型：NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：25V
频率 - 跃迁：650MHz
功率 - 最大值：225mW
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：60 @ 4mA，10V
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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	属性	参数值
	商品目录	三极管(BJT)
	晶体管类型	NPN
	集电极电流(Ic)	-
	集射极击穿电压(Vceo)	25V
	耗散功率(Pd)	225mW
	直流电流增益(hFE)	60@4mA,10V

	属性	参数值
	特征频率(fT)	650MHz
	集电极截止电流(Icbo)	100nA
	集射极饱和电压(VCE(sat))	500mV@4mA,0.4mA
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)
	射基极击穿电压(Vebo)	3V
	数量	1个NPN