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IRLMS2002TRPBF
1个N沟道 耐压:20V 电流:6.5A
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- 描述
- N-Channel MOSFET利用先进处理技术，实现每硅面积极低的导通电阻，为电池和负载管理应用提供高效器件。Micro6TM封装搭配定制引线框架，制成的HEXFET功率MOSFET的RDS(on)比类似尺寸的SOT-23低60%。该封装适用于印刷电路板空间有限的应用。其独特的热设计和RDS(on)降低，使电流处理能力比SOT-23提高近300%。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLMS2002TRPBF
- 商品编号
- C142374
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.049克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@5.0V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个3000个/圆盘
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