DTC114EUAT106
数字晶体管(内置电阻)
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- 描述
- 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计。应用:逆变器。 接口
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- DTC114EUAT106
- 商品编号
- C14303
- 商品封装
- SC-70-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 30@5mA,5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@10mA,0.3V | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
晶体管类型:NPN - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10k
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
频率 - 跃迁:250MHz
功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商器件封装:UMT3
电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10k
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
频率 - 跃迁:250MHz
功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商器件封装:UMT3
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 20 个)个
起订量:20 个3000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交33单
