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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LN235N3T5G

1个N沟道 耐压:30V 电流:930mA

描述
N沟道
商品型号
LN235N3T5G
商品编号
C136160
商品封装
SOT-883-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.009克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)930mA
属性参数值
导通电阻(RDS(on))460mΩ@4.5V,200mA
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))1.5V@250uA

商品特性

  • 快速开关
  • 低导通电阻RDS(ON)
  • 沟槽MOSFET技术
  • 这是一款无铅器件
  • 我们声明该产品材料符合RoHS要求且无卤素。
  • S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。

应用领域

  • 低端负载开关
  • 电平转换电路
  • DC - DC转换器
  • 便携式应用,如数码相机(DSC)、个人数字助理(PDA)、手机等。

数据手册PDF