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KIA65R190FS
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
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- 描述
- N沟道 20A 650V
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KIA65R190FS
- 商品编号
- C135552
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的超结技术制造。该先进技术经过特别设计，可最大程度降低导通损耗，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合在开关模式操作的AC/DC功率转换中实现更高效率。
商品特性
- 在VGS = 10 V时，RDS(on) = 0.16 Ω
- 低栅极电荷（典型值70nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力