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KNS5610A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

KNS5610A

N沟道 耐压:100V

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描述
N沟道 5.4A 100V
品牌名称
KIA
商品型号
KNS5610A
商品编号
C135559
商品封装
SOT-89​
包装方式
编带
商品毛重
0.145克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))115mΩ@10V,5A
耗散功率(Pd)22.7W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)26.2nC@10V
输入电容(Ciss)1.535nF
反向传输电容(Crss)37pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)60pF

商品特性

  • KXN5610A是高性能沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。KNX5610A符合RoHS标准和绿色产品要求。
  • 当栅源电压(VGS)为10 V时,导通电阻(RDS(ON))典型值为98 mΩ
  • 采用先进的高单元密度沟槽技术
  • 栅极电荷超低
  • 具有出色的Cdv/dt效应抑制能力
  • 提供绿色环保器件

应用领域

  • 高频负载点同步降压转换器
  • 网络直流 - 直流电源系统
  • 负载开关

数据手册PDF