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KIA35P10AD
耐压:100V 电流:35A
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- 描述
- -35A -100V
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KIA35P10AD
- 商品编号
- C134933
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.453克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 223pF |
商品概述
KIA35P10A采用先进的沟槽MOSFET技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷，适用于多种其他应用。KIA35P10A符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS测试，并经过全面功能可靠性认证。
商品特性
- 在VGS = 10 V时，RDS(on) = 42 mΩ（典型值）
- 100%通过EAS测试
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术