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STF23NM60
STF23NM60
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- 描述
- 场效应管 MOSFET N沟道 600V 19A TO-220FP 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 9.5A 漏源电压, Vds: 600V 在电阻RDS（上）: 150mohm 电压 @ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V 功耗, Pd: 150W 工作温度最小值: -55°C 工作温度最高值: 150°C 封装类型: TO-220FP 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 封装/箱盒: TO-220FP 工作温度范围: -55°C 至 +150°C 晶体管类型: 功率MOSFET 漏极电流, Id 最大值: 19A 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V 电压, Vds 典型值: 600V 电压, Vgs 最高: 25V 表面安装器件: 通孔
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF23NM60
- 商品编号
- C13861
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
该系列器件采用第二代MDmesh技术设计。这款革命性的功率MOSFET将新型垂直结构与公司的条形布局相结合,实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此,它适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 仅受允许的最高温度限制
- 经过100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用