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P6006BD
N沟道逻辑电平增强型MOSFET,电流:21A,耐压:60V
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- 描述
- N沟道 60V 21A
- 品牌名称
- NIKO-SEM(尼克森)
- 商品型号
- P6006BD
- 商品编号
- C133605
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.361克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@5V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
优惠活动
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