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HY4903B6实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HY4903B6

1个N沟道 耐压:30V 电流:314A

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私有库下单最高享92折
描述
30V/314A。在VGS = 10V时,RDSON = 1.3mΩ(典型值)。在VGS = 4.5V时,RDSON = 1.7mΩ(典型值)
品牌名称
HUAYI(华羿微)
商品型号
HY4903B6
商品编号
C133393
商品封装
TO-263-6​
包装方式
编带
商品毛重
2.26克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)314A
导通电阻(RDS(on))2.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)268W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)9.417nF
反向传输电容(Crss)826pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)1.226nF

商品概述

UT2955采用先进的沟槽技术,可提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关,以及PWM应用、转换器和电源。

商品特性

  • 30V/314A
  • RDS(ON)= 1.3 mΩ(典型值),VGS= 10 V
  • RDS(ON)= 1.7mΩ(典型值),VGS= 4.5V
  • 经过100%雪崩测试
  • 可靠耐用
  • 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)

应用领域

-开关应用-无刷电机驱动-DC-DC转换-电动助力转向

数据手册PDF