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HY4903B6
1个N沟道 耐压:30V 电流:314A
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- 描述
- 30V/314A。在VGS = 10V时，RDSON = 1.3mΩ（典型值）。在VGS = 4.5V时，RDSON = 1.7mΩ（典型值）
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY4903B6
- 商品编号
- C133393
- 商品封装
- TO-263-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 314A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@4.5V,150A | |
| 耗散功率(Pd) | 268W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 9.417nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 826pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.226nF |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
30V/314A
R DS(ON) = 1.3mΩ(typ.)@V GS = 10VR DS(ON) = 1.7mΩ(typ.)@V GS = 4.5V
优惠活动
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