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HY3606B

耐压:60V 电流:162A

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描述: MOS N沟道 60V/162A 3.5毫欧@10V
品牌名称: HUAYI(华羿微)
商品型号: HY3606B
商品编号: C133396
商品封装: TO-263-2L
包装方式: 管装
商品毛重: 1.5克(g)

商品参数

HY3606B TO-263

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

60V/162A
R DS(ON) = m? (typ.) @ V GS =10V
V DSS Drain-Source Voltage 60
V GSS Gate-Source Voltage ±25V
T J Maximum Junction Temperature 175 °C
T STG Storage Temperature Range -55 to 175 °C
I S Diode Continuous Forward Current T C =25°C 162 A

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	-
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	162A
	导通电阻(RDS(on))	4.5mΩ@10V,81A
	耗散功率(Pd)	214W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	130nC@10V
	输入电容(Ciss)	4.376nF
	反向传输电容(Crss)	334pF
	工作温度	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	857pF