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MMBFJ175LT1G

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属性参数值
商品目录结型场效应管(JFET)
FET类型P沟道
栅源截止电压(VGS(off)@ID)3V@10nA
栅源击穿电压(V(BR)GSS)30V
功率(Pd)225mW
属性参数值
漏源导通电阻(RDS(on))125Ω
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)7mA@15V
输入电容(Ciss@Vds)11pF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

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