ATTINY13V-10SSU

ATtiny13 是一款基于 AVR 增强 RISC 架构的低功耗 CMOS 8 位微控制器。通过在一个时钟周期内执行强大的指令，ATtiny13 实现接近 1 MIPs/MHz 的吞吐量，允许系统设计者优化功耗与处理速度。

AVR 核心将丰富的指令集与 32 个通用工作寄存器相结合。所有 32 个寄存器直接连接到算术逻辑单元 (ALU)，允许在一个时钟周期内执行的单个指令访问两个独立的寄存器。由此产生的架构更高效，并且吞吐量比传统的 CISC 微控制器快高达十倍。

ATtiny13 具有以下特性：1K 字节的系统内可编程闪存，64 字节 EEPROM，64 字节 SRAM，6 条通用 I/O 线，32 个通用工作寄存器，一个具有比较模式的 8 位定时器/计数器，内部和外部中断，一个 4 通道 10 位 ADC，一个具有内部振荡器的可编程看门狗定时器，以及三种软件选择的省电模式。空闲模式停止 CPU，同时允许 SRAM、定时器/计数器、ADC、模拟比较器和中断系统继续运行。掉电模式保存寄存器内容，禁用所有芯片功能，直到下一个中断或硬件复位。ADC 噪声降低模式停止 CPU 和所有 I/O 模块，除了 ADC，以最小化 ADC 转换期间的开关噪声。

该器件采用 Atmel 的高密度非易失性存储器技术制造。片上 ISP 闪存允许通过 SPI 串行接口，通过传统的非易失性存储器程序员或在 AVR 核心上运行的片上引导代码，对程序存储器进行系统内重新编程。

• 高性能、低功耗的AVR 8位微控制器
• 先进的RISC架构 – 120条强大的指令 – 大多数单时钟周期执行 – 32x8通用工作寄存器 – 完全静态操作 – 在20 MHz下最高可达20 MIPS吞吐量
• 高耐久性非易失性存储段 – 1K字节的系统内自编程Flash程序存储器 – 64字节EEPROM – 64字节内部SRAM – 写/擦除周期：Flash 10,000次/EEPROM 100,000次 – 数据保持：85℃下20年/25℃下100年（见第6页） – 自编程Flash和EEPROM数据安全的编程锁定
• 外围特性 – 一个带预分频器和两个PWM通道的8位定时器/计数器 – 4通道、10位ADC，带有内部电压参考 – 带有独立片上振荡器的可编程看门狗定时器 – 片上模拟比较器
• 特殊微控制器特性 – debugWIRE片上调试系统 – 通过SPI端口进行系统内编程 – 外部和内部中断源 – 低功耗空闲模式、ADC噪声减少模式和掉电模式 – 增强型上电复位电路 – 可编程欠压检测电路 – 内部校准振荡器
• I/O和封装 – 8引脚PDIP/SOIC：六个可编程I/O线 – 20焊盘MLF：六个可编程I/O线
• 工作电压： – ATtiny13V: 1.8 - 5.5V – ATtiny13: 2.7 - 5.5V
• 速度等级 – ATtiny13V: 0 - 4 MHz @ 1.8 - 5.5V, 0 - 10 MHz @ 2.7 - 5.5V – ATtiny13: 0 - 10 MHz @ 2.7 - 5.5V, 0 - 20 MHz @ 4.5 - 5.5V
• 工业温度范围
• 低功耗 – 活动模式： 1 MHz, 1.8V: 240 μA – 掉电模式： <0.1 μA at 1.8V