ATTINY25-20SN

ATtiny25/45/85是基于AVR增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，ATtiny25/45/85实现了接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。 AVR内核将丰富的指令集与32个通用工作寄存器相结合。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），允许在一个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高，同时实现的吞吐量比传统的CISC微控制器快达十倍。 ATtiny25/45/85具有以下特点：2/4/8K字节的系统内可编程闪存、128/256/512字节的EEPROM、128/256/256字节的SRAM、6个通用I/O线、32个通用工作寄存器、一个具有比较模式的8位定时器/计数器、一个8位高速定时器/计数器、通用串行接口、内部和外部中断、一个4通道10位ADC、一个带内部振荡器的可编程看门狗定时器以及三种软件可选的省电模式。空闲模式停止CPU，同时允许SRAM、定时器/计数器、ADC、模拟比较器和中断系统继续运行。掉电模式保存寄存器内容，禁用所有芯片功能，直到下一次中断或硬件复位。ADC降噪模式停止CPU和除ADC之外的所有I/O模块，以最小化ADC转换期间的开关噪声。 该器件采用Atmel的高密度非易失性存储器技术制造。片上ISP闪存允许通过SPI串行接口、传统的非易失性存储器编程器或在AVR内核上运行的片上引导代码在系统内对程序存储器进行重新编程。 ATtiny25/45/85 AVR支持全套程序和系统开发工具，包括：C编译器、宏汇编器、程序调试器/模拟器和评估套件。

• 高性能、低功耗AVR 8位微控制器
• 先进的RISC架构：120条强大指令，大多数单时钟周期执行，32×8通用工作寄存器，全静态操作
• 非易失性程序和数据存储器：2/4/8K字节的系统内可编程程序存储器闪存，耐久性：10,000次写入/擦除周期；128/256/512字节系统内可编程EEPROM，耐久性：100,000次写入/擦除周期；128/256/512字节内部SRAM；编程锁用于自编程闪存程序和EEPROM数据安全
• 外设特性：8位定时器/计数器，带预分频器和两个PWM通道；8位高速定时器/计数器，带独立预分频器，2个高频PWM输出，带独立输出比较寄存器，可编程死区时间发生器；USI - 通用串行接口，带起始条件检测器；10位ADC，4个单端通道，2个差分ADC通道对，可编程增益（1x, 20x），温度测量；可编程看门狗定时器，带独立片上振荡器；片上模拟比较器
• 特殊微控制器特性：debugWIRE片上调试系统；通过SPI端口进行系统内编程；外部和内部中断源；低功耗空闲、ADC降噪和掉电模式；增强型上电复位电路；可编程欠压检测电路；内部校准振荡器
• I/O和封装：六个可编程I/O线；8引脚PDIP、8引脚SOIC、20焊盘QFN/MLF和8引脚TSSOP（仅ATtiny45/V）
• 工作电压：ATtiny25V/45V/85V为1.8 - 5.5V；ATtiny25/45/85为2.7 - 5.5V
• 速度等级：ATtiny25V/45V/85V：0 – 4 MHz @ 1.8 - 5.5V，0 - 10 MHz @ 2.7 - 5.5V；ATtiny25/45/85：0 – 10 MHz @ 2.7 - 5.5V，0 - 20 MHz @ 4.5 - 5.5V
• 工业温度范围
• 低功耗：活动模式：1 MHz，1.8V时为300 μA；掉电模式：1.8V时为0.1 μA