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1N4003G-T
1N4003G-T
- 描述
- 特性：玻璃钝化芯片结构。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达30A峰值。 无铅表面处理，符合RoHS标准
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- 1N4003G-T
- 商品编号
- C131111
- 商品封装
- DO-41
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 0.448克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用二极管 | |
| 二极管配置 | - | |
| 正向压降(Vf) | 1V@1A | |
| 直流反向耐压(Vr) | 200V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 整流电流 | 1A | |
| 反向电流(Ir) | 5uA@200V | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 30A | |
| 工作结温范围 | -65℃~+175℃ |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(5000个/卷，最小起订量 60000 个)个
起订量：60000 个5000个/卷
总价金额：
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