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IRF630
1个N沟道 耐压:200V 电流:9A
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- 描述
- 这款功率MOSFET采用该公司成熟的基于条形布局的MESH OVERLAY™工艺设计。与不同厂家的标准产品相比，这项技术能够达到同等性能甚至有所提升。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- IRF630
- 商品编号
- C129801
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V,4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
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