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STT7P2UH7
停产 1个P沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STT7P2UH7
- 商品编号
- C125752
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.39nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 188pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
这款P沟道功率MOSFET采用了StripFET H7技术，其沟槽栅极结构结合了极低的导通电阻。该器件还具备超低电容，适用于更高开关频率的操作。
商品特性
- 极低的导通电阻
- 极低的电容和栅极电荷
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用