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STW11NK100Z
1个N沟道 耐压:1000V 电流:8.3A
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- 描述
- N沟道
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW11NK100Z
- 商品编号
- C126636
- 商品封装
- TO-247AC-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.985克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.38Ω@10V,4.15A | |
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 113nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品概述
SuperMESH™ 系列是对意法半导体（ST）成熟的基于条形结构的 PowerMESH™ 布局进行极致优化的成果。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保其在要求最严苛的应用中具备出色的 dv/dt 能力。该系列完善了意法半导体包括创新型 MDmesh™ 产品在内的全系列高压 MOSFET。
商品特性
- 极高的 dv/dt 能力
- 100% 雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 出色的制造重复性
- TO-247 封装
应用领域
- 开关应用