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CSD87330Q3D

N沟道耐压:30V 电流:20A

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描述: CSD87330Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET™电源块
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: CSD87330Q3D
商品编号: C124142
商品封装: LSON-8(3.3x3.3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.182克(g)

商品参数

商品概述

CSD87330Q3D NexFET电源块是面向同步降压应用的优化设计，能够以3.3毫米x3.3毫米的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。当与来自外部控制器/驱动的任一5 V栅极驱动器成对使用时，提供一个灵活的解决方案以提供高密度电源，为5V栅极驱动应用提供最优解决方案。该产品针对5V 栅极驱动应用进行了优化，可提供高度灵活的解决方案，在与外部控制器/驱动器的任何5V 栅极驱动配合使用时，均可提供高密度电源。

商品特性

半桥式电源块
高达27 VIN
在15 A电流下可实现91%的系统效率
高达20 A的工作电流
高频率工作（高达1.5MHz）
高密度 — SON 3.3mm×3.3mm封装
针对5V 栅极驱动进行了优化
低开关损耗
超低电感封装
符合RoHS标准
无卤
无铅终端电镀

应用领域

同步降压型转换器高频应用高电流、低占空比应用
多相位同步降压转换器
POL DC-DC转换器
IMVP、VRM与VRD应用

优惠活动

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(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个2500个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交15单

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	-
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	20A
	导通电阻(RDS(on))	11.1mΩ@5V,15A
	耗散功率(Pd)	6W
	阈值电压(Vgs(th))	1.15V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	11.5nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	1.632nF
	反向传输电容(Crss)	44pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	半桥
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	700pF