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1EBN1001AE
1EBN1001AE
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 1EBN1001AE
- 商品编号
- C123309
- 商品封装
- SOIC-14-EP
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.219克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 峰值灌电流 | 15A | |
| 峰值拉电流 | 15A | |
| 电源电压 | 13V~18V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间 | 50ns | |
| 下降时间 | 90ns | |
| 是否隔离 | 非隔离 | |
| 传播延迟 tpLH | 10ns | |
| 传播延迟 tpHL | 10ns | |
| 特性 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
1EBN1001AE是一款专为10kW以上汽车电机驱动器设计的IGBT/MOSFET栅极驱动增强器。它基于高性能双极技术，旨在取代基于分立器件的缓冲级。由于采用了热优化的外露焊盘封装，1EBN1001AE能够驱动和吸收高达15A的峰值电流。这使得该器件适用于大多数汽车应用中的逆变器系统。除基本的栅极驱动功能外，1EBN1001AE还支持诸如带快速响应时间的有源钳位（需外接二极管）等高级功能。有源钳位功能也可通过外部信号禁用。
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