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DMP10H4D2S-7
1个P沟道 耐压:100V 电流:0.27A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP10H4D2S-7
- 商品编号
- C119037
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 270mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 440mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 87pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.6pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 小型表面贴装封装
- 静电放电（ESD）防护高达2KV（人体模型HBM）
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准（参考AEC - Q），具备高可靠性
- 符合汽车应用标准的型号（DMP10H4D2SQ）有单独的数据手册
应用领域
- DC-DC转换器-电源管理功能-电池供电系统和固态继电器-驱动器:继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等