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CS10N65FA9R
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 描述
- CS10N65F A9R是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管可应用于各种功率开关电路，有助于实现系统小型化和提高效率。其封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准
- 品牌名称
- 华润华晶
- 商品型号
- CS10N65FA9R
- 商品编号
- C115511
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.642nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 128pF |
商品概述
CS10N65F A9R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET，可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻（Rdson ≤ 1.0Ω）
- 低栅极电荷（典型数据：32nC）
- 低反向传输电容（典型值：7pF）
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。