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CS4N60A3HD
1个N沟道 耐压:600V 电流:4A
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- 描述
- N沟道,600V.4A
- 品牌名称
- 华润华晶
- 商品型号
- CS4N60A3HD
- 商品编号
- C115517
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
CS4N60 A3HD是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用自对准平面技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 251，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 改进的静电放电（ESD）能力
- 低栅极电荷（典型数据：14.5nC）
- 低反向传输电容（典型值：8.5pF）
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。
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