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CJL3415
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- P沟道
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJL3415
- 商品编号
- C114069
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@1.8V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 205pF |
商品概述
NCE0110K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100 V，漏极电流（ID） = 9.6 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 140 mΩ（典型值：108 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 散热性能出色的封装
- 具备高ESD能力的特殊工艺技术
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源