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CJQ4435
1个P沟道 耐压:30V 电流:9.1A
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- 描述
- CJQ4435采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(on)）、抗直通能力、体二极管特性和超低栅极电阻。该器件非常适合用作笔记本电脑CPU核心电源转换中的低端开关。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJQ4435
- 商品编号
- C114076
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.193克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V,6.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个4000个/圆盘
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