TBD62003AFWG
BiCD集成硅单片电路,7通道下沉型DMOS晶体管阵列
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- 描述
- 新产品,ULN2003AFWG升级品,场效应管作输出管,管压降更低,芯片发热更少,驱动性能更佳。
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TBD62003AFWG
- 商品编号
- C114084
- 商品封装
- SOP-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.355克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿晶体管阵列 | |
| 通道数 | 七路 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 最大输入电压(VI) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 输入电流(on) | 0.1mA | |
| 输入电流(off) | 1uA | |
| 正向压降(Vf) | 2V | |
| 反向电流(Ir) | 1uA |
商品概述
TBD62003A系列和TBD62004A系列是带有7个电路的DMOS晶体管阵列。每个输出都内置有用于切换感性负载的箝位二极管。使用时应注意热条件。
特点:
- 内置7个电路
- 高电压:VOUT = 50 V(最大值)
- 高电流:Iout = 500 mA/通道(最大值)
- 输入电压(输出开启):
- TBD62003A系列:2.5 V(最小值)
- TBD62004A系列:7.0 V(最小值)
- 输入电压(输出关闭):
- TBD62003A系列:0.6 V(最大值)
- TBD62004A系列:1.0 V(最大值)
- 封装选项:
- PG型 DIP16-P-300-2.54A
- FG型 SOP16-P-225-1.27
- FNG型 SSOP16-P-225-0.65B
- FWG型 P-SOP16-0410-1.27-002
重量:
- DIP16-P-300-2.54A:1.11 g(典型值)
- SOP16-P-225-1.27:0.16 g(典型值)
- SSOP16-P-225-0.65B:0.07 g(典型值)
- P-SOP16-0410-1.27-002:0.15 g(典型值)
提供了引脚连接和说明,以及每个驱动器的等效电路图。指定了绝对最大额定值和工作范围,包括功率耗散和温度条件。测试电路和时序图涵盖了各种参数,如输出漏电流、输入电流和开通/关断延迟。使用IC时需要注意外部保护电路以防止过流或过压,并考虑散热设计和反电动势。
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