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BTS3028SDR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BTS3028SDR

BTS3028SDR

描述
是单通道低侧MOSFET功率开关,采用PG-TO252-3-11封装,提供嵌入式保护功能。该器件与N通道垂直功率FET和嵌入式保护功能进行了单片集成,经过汽车应用认证,可用于12V和24V的汽车和工业应用。该器件能够切换各种电阻性、感性和容性负载,受额定能量和最大电流能力的限制。在IN引脚(相对于源极引脚,即接地)提供ESD保护
商品型号
BTS3028SDR
商品编号
C112639
商品封装
TO-252-2(DPAK)​
包装方式
编带
商品毛重
0.481克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录功率电子开关
类型低侧开关
通道数1
输入控制逻辑高电平有效
属性参数值
工作电压2V~10V
导通电阻28mΩ
工作温度-40℃~+150℃

商品概述

BTS3028SDR是一款采用PG-TO252-3-11封装的单通道低侧MOSFET功率开关,具备嵌入式保护功能。 该器件将N沟道垂直功率FET与嵌入式保护功能进行了单片集成。 BTS3028SDR已通过汽车级认证,可用于12V和24V的汽车及工业应用。 该器件能够切换各种阻性、感性和容性负载,不过会受到EAS和最大电流能力的限制。 BTS3028SDR的IN引脚(参考源极引脚,即接地)具备ESD保护功能。 过温保护功能可防止器件因过载和/或散热条件不佳而过热。功率MOSFET中的温度传感器会提供温度信息。在热关断期间,器件会在IN引脚吸收增大的输入电流,以反馈故障状态。 BTS3028SDR具备热重启功能。如果输入仍为高电平,在测量温度降至热滞回温度以下后,器件将再次开启。 在负载突降或感性关断情况下,过压保护功能会被激活。如果漏源电压超过VDS(钳位),功率MOSFET会对其进行限制。

商品特性

  • 短路和过载保护
  • 具备重启特性的热关断功能
  • ESD保护
  • 过压保护
  • 适用于5V和3.3V的逻辑电平输入
  • 支持模拟驱动
  • 可用于12V和24V应用
  • 绿色产品(符合RoHS标准)
  • 通过AEC认证

应用领域

  • 专为汽车和工业应用中的感性和灯负载设计,适用于12V和24V应用
  • 适用于所有类型的阻性、感性和容性负载
  • 可替代分立电路

数据手册PDF

交货周期

订货9-11个工作日

购买数量

(1个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个1个/圆盘

总价金额:

0.00

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