温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MDD1951RH
1个N沟道 耐压:60V 电流:17.9A
- 描述
- N沟道,60V,17.9A,45.0mΩ@10V
- 品牌名称
- MagnaChip(美格纳)
- 商品型号
- MDD1951RH
- 商品编号
- C108502
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 32.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
MDD1951采用先进的美格纳半导体(MagnaChip)沟槽MOSFET技术,在导通电阻、开关性能和可靠性方面提供高性能。低RDS(ON)、低栅极电荷可在应用中提供卓越优势。
商品特性
- VDS = 60 V
- ID = 17.9 A(@ VGS = 10 V)
- RDS(ON) < 45.0;mΩ(@ VGS = 10;V)
- RDS(ON) < 55.0;mΩ(@ VGS = 4.5;V)
应用领域
- 逆变器
- 通用应用
相似推荐
其他推荐