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MDD1951RH
1个N沟道 耐压:60V 电流:17.9A
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- 描述
- N沟道,60V,17.9A,45.0mΩ@10V
- 品牌名称
- MagnaChip
- 商品型号
- MDD1951RH
- 商品编号
- C108502
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 32.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、快速开关速度和极低的漏源导通电阻（rDS(on)）进行了优化。
商品特性
- 在栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 9 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 24 mΩ
- 在栅源电压（VGS） = 4.5 V、漏极电流（ID） = 7 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 30 mΩ
- 低栅极电荷
- 快速开关
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（rDS(on)）
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器
- 背光逆变器
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