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XP162A12A6PR
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.5A
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- 描述
- XP162A12A6PR-G是一款P沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和超高速开关特性。由于能够实现高速开关，因此可以高效设置该IC，从而节省能源。
- 品牌名称
- TOREX(特瑞仕)
- 商品型号
- XP162A12A6PR
- 商品编号
- C108092
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
XP162A12A6PR-G是一款P沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和超高速开关特性。由于能够实现高速开关，因此可以高效设置集成电路，从而节省能源。内置了栅极保护二极管，以防止静电损坏。小型SOT-89封装可实现高密度安装。
商品特性
- 低导通电阻:Vgs = -4.5V时,Rds(on) = 0.17 Ω
- Vgs = -2.5V时,Rds(on) = 0.3 Ω
- 超高速开关
- 驱动电压:-2.5V
- 内置栅极保护二极管
- P沟道功率MOSFET
- DMOS结构
- 小型封装:SOT-89
- 环保:符合欧盟RoHS标准,无铅
应用领域
- 笔记本电脑
- 手机和便携式电话
- 车载电源
- 锂离子电池系统
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