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IRFP044NPBF

1个N沟道耐压:55V 电流:53A

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IRFP044NPBF
商品编号: C106805
商品封装: TO-247AC-3
包装方式: 管装
商品毛重: 8.2克(g)

商品参数

商品概述

第五代HEXFET采用先进的加工技术,以实现单位硅面积极低的导通电阻。这一优势,再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。对于功率要求较高而无法使用TO - 220器件的商业 - 工业应用,首选TO - 247封装。TO - 247与早期的TO - 218封装类似,但由于其安装孔绝缘,性能更优。

商品特性

先进的工艺技术
动态dv/dt额定值
175°C工作温度
快速开关
完全雪崩额定
无铅

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	55V
	连续漏极电流(Id)	53A
	导通电阻(RDS(on))	20mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	120W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	1.5nF
	反向传输电容(Crss)	160pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	450pF