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ADR421ARZ-REEL7

高精度、低噪声、2.048V/2.5V/3V/5V XFET®基准电压源

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描述: ADR42x系列为高精度、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。利用温度漂移曲线校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: ADR421ARZ-REEL7
商品编号: C9650
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.15克(g)

商品参数

商品概述

ADR42x系列为高精度、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。利用温度漂移曲线校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还具有更低的功耗和更小的电源裕量。 ADR42x具有出色的噪声性能、稳定性和精度，非常适合光纤网络和医疗设备等精密转换应用。此外还可利用其调整引脚，在±0.5%范围内调整输出电压，其它性能则不受影响。ADR42x系列基准电压源分为两种电气等级，额定温度范围为 -40°C至 +125°C扩展工业温度范围，提供8引脚SOIC或8引脚MSOP封装(后者比前者小30%)。

商品特性

低噪声 (0.1 Hz至70 Hz)
- ADR420：1.75 μVₚ₋ₚ
- ADR421：1.75 μVₚ₋ₚ
- ADR423：2.0 μVₚ₋ₚ
- ADR425：3.4 μVₚ₋ₚ
低温度系数：3 ppm/°C
长期稳定性：50 ppm/1000小时
负载调整率：70 ppm/mA
电压调整率：35 ppm/V
低迟滞：40 ppm(典型值)
宽工作电压范围
- ADR420：4 V至18 V
- ADR421：4.5 V至18 V
- ADR423：5 V至18 V
- ADR425：7 V至18 V
静态电流：0.5 mA(最大值)
高输出电流：10 mA
宽温度范围： -40°C至 +125°C

应用领域

精密数据采集系统
高分辨率转换器
电池供电仪器仪表
便携式医疗仪器
工业过程控制系统
精密仪器
光纤网络控制电路

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	属性	参数值
	商品目录	电压基准芯片
	输出类型	固定
	工作电压	4.5V~18V
	输出电压	2.5V
	输出电流	10mA
	精度	±0.04%

	属性	参数值
	温度系数	3ppm/℃
	电压基准类型	串联
	静态电流(Iq)	500uA
	噪声(0.1Hz-10Hz)	1.75uVp-p
	工作温度	-40℃~+125℃