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4N65L-Q-TM3-T
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 描述
- N沟 650V 4A
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 4N65L-Q-TM3-T
- 商品编号
- C99946
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.596克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
商品概述
UTC 4N65是一款高压功率MOSFET,具备诸如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻等优异特性,并且拥有高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于高速开关应用,包括电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥式电路。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 2.2 A条件下,RDS(ON) < 2.5Ω
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善dv/dt能力,高抗扰性
应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 高效DC - DC转换器
- 桥式电路
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