- 引脚图
型号：IXTY2N65X2-HXY品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)名称：碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，具有低导通电阻、低电容、高速开关和低反向恢复特性
本页面提供HXY MOSFET(华轩阳电子)的IXTY2N65X2-HXY产品的实物图、引脚图、原理图和PCB焊盘图。IXTY2N65X2-HXY参考售价为6.05元起，现货库存数量15个
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
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