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场效应管(MOSFET)
HYG018N10NS1B6
商品大图
型号:HYG018N10NS1B6
品牌:HUAYI(华羿微)
名称:N沟道增强型MOSFET,电流:322A,耐压:100V
引脚图
此图展示了型号为 HYG018N10NS1B6 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 HYG018N10NS1B6 的焊盘布局
本页面提供HUAYI(华羿微)的HYG018N10NS1B6产品的实物图、引脚图、原理图和PCB焊盘图。HYG018N10NS1B6参考售价为7.99元起,现货库存数量0个
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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