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NT6CL512T32AM-H1
LPDDR3 8Gb/16Gb/32Gb SDRAM
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- 描述
- 特性：基于LPDDR3标准。 低功耗。 8n预取架构，仅支持BL8。 可配置的驱动强度（DS），以实现系统兼容性。 可配置的片上终端（ODT）。 通过外部ZQ引脚进行ZQ校准，确保DS/ODT阻抗精度（2400±1%）
- 品牌名称
- Nanya(南亚科技)
- 商品型号
- NT6CL512T32AM-H1
- 商品编号
- C920246
- 商品封装
- BGA-178
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 时钟频率(fc) | 933MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.14V~1.3V | |
| 功能特性 | 自动刷新 | |
| 工作温度 | -30℃~+105℃ |
商品特性
- 符合LPDDR3基础规范
- 低功耗
- 仅支持BL8的8n预取架构
- 可配置驱动强度以提升系统兼容性
- 可配置片内终端匹配
- 通过外部ZQ引脚（240Ω±1%）进行驱动强度/片内终端匹配阻抗校准的ZQ校准
- 用于信号同步的训练功能
- 提供特定DQ输出模式的DQ校准
- CA训练
- 通过模式寄存器设置实现的写入均衡
- 内置温度传感器，支持温度补偿自刷新
- 支持自动刷新和自刷新模式
- 深度掉电模式
- 部分阵列自刷新
- 空闲期间支持时钟停止
- HSUL12接口与电源：VDD1 = 1.70 to 1.95V；VDD2/VDDQ/VDDCA = 1.14 to 1.3V
- 可编程功能：RON（典型值：34.3/40/48/60/80）、RTT（120/240）、RL/WL选择（组A/组B）、nWRE（nWR≤9 / nWR>9）、PASR（存储体/段）
- 速度等级：2133 Mbps / RL=16；1866 Mbps / RL=14
- 温度范围：商业级 -30°C to +105°C
- 封装信息：符合无铅RoHS标准且无卤素