温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
商品特性
- 超低电阻
- 在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) < 55 mΩ
- 在VGS = -2.5 V时,RDS(ON) < 75 mΩ
- 可靠耐用
应用领域
-笔记本电脑的电源管理-便携式设备-电池供电的系统
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