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CSD17579Q3A

1个N沟道耐压:30V 电流:20A

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描述: CSD17579Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: CSD17579Q3A
商品编号: C97376
商品封装: SON-8-EP(3.1x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.8克(g)

商品参数

商品概述

描述：这款 30 V, 8.7 mΩ, SON 3.3 mm × 3.3 mm NexFET功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗提供了灵活性和便利性。
特性：
- 低 Qg 和 Qgd
- 低 RDS(on)
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3 mm × 3.3 mm 塑料封装
应用：
- 用于网络、电信和计算系统中的负载点同步降压转换器
- 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化

商品特性

低 Qg 和 Qgd
低 RDS(on)
低热阻
雪崩级
无铅
符合 RoHS 标准
无卤素
小外形尺寸无引线 (SON) 3.3 mm × 3.3 mm 塑料封装

应用领域

用于网络、电信和计算系统中的负载点同步降压转换器
针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	20A
	导通电阻(RDS(on))	8.7mΩ@10V,8A
	耗散功率(Pd)	2.5W
	阈值电压(Vgs(th))	1.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	5.3nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	998pF@25℃
	反向传输电容(Crss)	49pF@25℃
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	93pF