温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 功率(Pd) | 1W | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@4.5A,4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 482pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
CS75N45是一款N沟道MOS场效应晶体管，专为大电流开关应用而设计。其坚固的EAS能力和超低的漏源导通电阻适用于PWM。
商品特性
- 高密单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 坚固可靠
- 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 湿气敏感度等级 1 级
- 无卤,“绿色”器件
- 无铅涂层/符合 RoHS 标准(后缀“P”表示符合 RoHS 标准)
应用领域
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源