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BRCS10N15DP实物图
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BRCS10N15DP

1个N沟道 耐压:150V 电流:10A 停产

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商品型号
BRCS10N15DP
商品编号
C914063
商品封装
TO-252-2​
包装方式
编带
商品毛重
0.469克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))183mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)54W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)660pF
反向传输电容(Crss)17pF
类型N沟道
输出电容(Coss)74pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

采用TO-252塑封封装的N沟道MOSFET。

商品特性

  • 低RDS(on)、低门电荷、低Crss、快速开关。无卤产品。
  • 低RDS(on)、低门电荷、低Crss、快速开关。无卤产品。

应用领域

  • 适用于低压应用,如汽车电路、DC/DC转换器、便携式和电池供电产品电源管理的高效开关,以及电视或显示器的电源管理接口卡。
  • 适用于低压应用,如汽车电路、DC/DC转换器、便携式和电池供电产品电源管理的高效开关,以及电视或显示器的电源管理接口卡。

数据手册PDF